Electromagnetic interference shielding with 2D transition metal carbides (MXenes)

DOI: 10.1126/science.aag2421

本文献是探究MXene电磁屏蔽性能最早的一篇发表在Science上，很多探究MXene电磁屏蔽性能的文献都引用了此文献，所以具有一定的指导意义。研究者探究了几种MXene及其聚合物复合材料在电磁屏蔽方面的潜力。厚度为45um的Ti3C2Tx膜表现出的EMI屏蔽效能为92 dB（对于2.5um的膜而言> 50dB）。此性能源于Ti3C2Tx薄膜的出色电导率（4600 S/cm）和独立薄膜中Ti3C2Tx薄片的多次内部反射。 MXenes及其复合材料提供的机械灵活性和易于涂覆的能力使它们能够屏蔽任何形状的表面，在添加SA以形成聚合物复合膜之后，保持了优异的屏蔽能力。随着电子设备的小型化，这允许使用非常薄的薄膜进行屏蔽，以帮助消除电磁辐射。这项研究将为大范围的2D材料铺平道路。

Tunable Magnetic Response in 2D Materials via Reversible Intercalation of Paramagnetic Ions

DOI: 10.1002/aelm.201900040

二维材料的独特属性推动了基础研究和先进技术的发展，人们非常希望将磁性结合到各种2D材料中以实现主动的磁响应。在这篇文献的工作中，展示了一种可逆的磁化方法，该方法可将磁响应引入到各种二维材料多层结构中。从氧化石墨烯（GO）到蒙脱石，碳化钛（MXene），二硫化钼（MoS₂）以及金属-有机骨架，通过离子（Ho³⁺）的脱去/嵌入。通过简单地控制样品在钬离子溶液中的浸泡时间，可以将所有2D材料的磁化率提高到八到十倍。此外，通过在稀酸中进行冲洗过程以及恢复2D材料的固有物理化学性质，可以快速逆转磁响应。总而言之，我们展示了一种通用的可逆磁化方法，用于赋予对各种二维材料多层（包括GO，MMT，MXene，MOF和MoS₂）的主动磁响应。Ho^{3 +}嵌入方法可能会扩展到其他纳米材料，并且这些磁响应复合物可以推动重要技术应用的发展，包括2D材料选择性膜，高活性电化学电极和磁响应机器人骨架。改善的磁响应允许操纵磁化的2D材料，从而能够开发用于大面积2D材料膜的磁辅助转移工艺以及制造磁响应2D材料致动器。